產(chǎn)品分類
SiC籽晶粘接設(shè)備
所屬分類：
第三代半導(dǎo)體工藝設(shè)備
概要：
? 籽晶的粘接工藝技術(shù)是將SiC籽晶通過有機膠粘接在石墨紙上，提高籽晶粘接質(zhì)量是保證高品質(zhì)SiC晶體生長的首要前提。
關(guān)鍵詞：
SiC籽晶粘接
SiC籽晶粘接設(shè)備
產(chǎn)品概述/Product Introduction：
♦ 籽晶的粘接工藝技術(shù)是將SiC籽晶通過有機膠粘接在石墨紙上。提高籽晶粘接質(zhì)量是保證高品質(zhì)SiC晶體生長的首要前提。
The bonding technology of seed crystal is to bond SiC seed crystal to graphite paper through organic adhesive. Improving the bonding quality of seed crystal is the first prerequisite to ensure the growth of high-quality SiC crystal. .
技術(shù)指標(biāo)/Technical Indicators：
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晶圓尺寸: 6-8英寸 Wafer size: 6-8 inches |
溫度350-1000°C,溫度均勻性土3°C Temperature 350 1000°C, temperature uniformity 3°C |
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壓力:最大1-2萬KN，力均勻性<士1% Pressure: Maximum 1-20,000 KN, Force Uniformity<土1% |
真空度:≤10Pa Vacuum degree:≤10Pa |
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壓頭:柔性壓頭/硬性壓頭 Indenter: Flexible indenter/rigid indenter |
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